ক্যাপাসিটর ব্যাঙ্কের মাউন্টিং স্ট্রাকচারের জন্য স্তরিত বাস বার

ক্যাপাসিটর ব্যাঙ্ক এবং ইনভার্টার বা রেকটিফায়ারগুলির মধ্যে কম-ক্ষতির সংযোগ সক্ষম করে, সামগ্রিক সিস্টেমের শক্তি খরচ হ্রাস করে৷

আল্ট্রা-নিম্ন ইন্ডাকট্যান্স কার্যকরভাবে ভোল্টেজ ওভারশুটকে দমন করে, ক্যাপাসিটর এবং পাওয়ার উপাদানগুলিকে রক্ষা করে যখন হস্তক্ষেপের বিরুদ্ধে সিস্টেমের প্রতিরোধ ক্ষমতা বাড়ায়।

যান্ত্রিক মাউন্টিং ফাংশনগুলির সাথে বৈদ্যুতিক সংযোগকে একত্রিত করে, ক্যাপাসিটর ব্যাঙ্ক সমাবেশের কম্পন এবং শক প্রতিরোধের উন্নতি করে।

ভোল্টেজ বিস্ফোরণের জন্য উচ্চ স্তরিত বাসবার-প্রুফ ইনভার্টার অভিন্ন তাপ অপচয়ের প্রচার করে এবং স্থানীয় হট স্পটগুলিকে কম করে, যার ফলে ক্যাপাসিটরের পরিষেবা জীবন প্রসারিত হয়।

ইন্ডাস্ট্রিয়াল ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার বাসবার ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক রেডিয়েশন এবং পরিচালিত হস্তক্ষেপ হ্রাস করে, কঠোর EMC সার্টিফিকেশন মানগুলির সাথে সম্মতি প্রদান করে।

মাল্টি-স্তরের কপার ফয়েল ল্যামিনেশনের পরে পৃষ্ঠের সমতলতা 0.1 মিমি থেকে কম বা সমান, পাওয়ার ডিভাইস টার্মিনালগুলির সাথে শক্ত যোগাযোগ নিশ্চিত করে এবং যোগাযোগের প্রতিরোধকে কম করে।

আন্তঃস্তরের শূন্যতা দূর করার জন্য গরম-প্রক্রিয়ার সময় ভ্যাকুয়াম স্তরগুলি কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রিত হয়, যার ফলে নিরোধক শক্তি এবং আংশিক স্রাব কর্মক্ষমতা নিশ্চিত হয়।

Epoxy পাউডার আবরণ বা ইনজেকশন-মোল্ড করা এনক্যাপসুলেশন সমস্ত প্রান্ত এবং মাউন্টিং গর্তগুলিকে ঢেকে দেয়, কোনও উন্মুক্ত কন্ডাক্টর বা ক্রিপেজ পাথ ছেড়ে যায় না।

সংযোগ টার্মিনালগুলির জন্য অবস্থানগত সহনশীলতা ±0.2 মিমি এর মধ্যে নিয়ন্ত্রিত হয়, ক্যাপাসিটর/IGBT ইন্টারফেসের সাথে সুনির্দিষ্ট প্রান্তিককরণ নিশ্চিত করে এবং স্বয়ংক্রিয় সমাবেশের সুবিধা দেয়।

টিন বা সিলভার প্লেটিং বেধ সমান (3–12 μm) যাতে কোন উন্মুক্ত তামা বা পিনহোল নেই, যা সোল্ডারিং এবং ক্রিমিং সংযোগের জন্য দীর্ঘ-নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে৷